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TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題,降低總所有成本
2021-09-23 18:32 5512

北京2021年9月23日 /美通社/ -- 德州儀器(TI)(納斯達(dá)克代碼TXN)今宣布其氮化鎵(GaN)技術(shù)和 C2000? 實時微控制器(MCU),輔以臺達(dá)(Delta Electronics)長期耕耘之電力電子核心技術(shù),為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器(PSU)。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器相比,臺達(dá)研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器將功率密度提高了80%,效率提升1%。能源政策機(jī)構(gòu)Energy Innovation[1]數(shù)據(jù)顯示,效率每提升1%,相當(dāng)于每個數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦(或800戶家庭用電)的總所有成本。

臺達(dá)為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案,同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣泛,包括IT設(shè)備、電動車充電與工業(yè)電源等。TI在GaN技術(shù)以及C2000? MCU實時控制解決方案上長達(dá)十年的投資有目共睹,是臺達(dá)長期合作的重要伙伴。此次TI采用創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路,助力臺達(dá)等企業(yè)打造差異化應(yīng)用,更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

“在TI,我們致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實用,讓世界更美好,并且我們的GaN技術(shù)為更高效、更小、更可靠的全新解決方案的誕生帶來更多可能,”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示,“除了技術(shù)投資外,TI在內(nèi)部制造方面的投資能夠快速普及GaN等新技術(shù),并為臺達(dá)等客戶提供支持?!?nbsp;

“臺達(dá)長期致力于通過高效能產(chǎn)品和解決方案,與伙伴及客戶密切合作,以降低碳足跡。這也促使我們與TI這樣的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)開展長期合作,持續(xù)進(jìn)行新一代技術(shù)的開發(fā)、應(yīng)用。GaN技術(shù)已突破門坎,從人們口中的未來科技落地,成為當(dāng)今電源系統(tǒng)設(shè)計中切實可行的一個選擇。”臺達(dá)電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理Jimmy Yiin說,“通過引入新技術(shù),我們希望為服務(wù)器的電源供應(yīng)器實現(xiàn)超過98%的效率,功率密度超過100瓦/立方英寸。GaN技術(shù)將變革現(xiàn)有的電源設(shè)計和架構(gòu),未來幾年電源方案和產(chǎn)品的發(fā)展令人期待,臺達(dá)也將善用新技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化我們作為數(shù)據(jù)中心和其他電源解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商地位。”

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性

  • 在高電壓、高功率工業(yè)應(yīng)用中,TI的GaN FET集成了快速開關(guān)驅(qū)動器,以及內(nèi)部保護(hù)和溫度感測功能,能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實現(xiàn)高性能。
  • 芯片通過4000萬小時以上的設(shè)備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換測試,可提供嚴(yán)謹(jǐn)可靠的數(shù)據(jù),并可透過GaN構(gòu)建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。
  • TI 的GaN電源解決方案同C2000?實時MCU相結(jié)合,可提供復(fù)雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設(shè)的可擴(kuò)展性等眾多優(yōu)勢。此外,這些MCU可支持不同的電源拓?fù)湓O(shè)計和高開關(guān)頻率,更大限度提升電源效率,充分發(fā)揮基于GaN的服務(wù)器供電單元的潛力。

制造和長期投資戰(zhàn)略確保靈活供應(yīng)

  • TI獨(dú)特的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)組合簡化了生產(chǎn),企業(yè)能夠通過配置不同的選項來擴(kuò)大硅基氮化鎵的產(chǎn)量,以應(yīng)對電信、工業(yè)和汽車企業(yè)不斷變化的需求。 
  • TI自有的GaN外延和組裝/測試能力,使企業(yè)能夠按需求靈活解決工具冗余問題。
  • 隨著市場需求的增加,體積更小且需要支持更多數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已經(jīng)成為趨勢,TI的長期投資和靈活的制造戰(zhàn)略,將使其成為領(lǐng)先的GaN和實時MCU供應(yīng)商。

TI和臺達(dá)將于2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同舉辦主題為《GaN技術(shù)的影響及其對未來工業(yè)設(shè)計的意義》的在線技術(shù)交流研討會。屆時,TI專家將通過一系列主題演講、論壇、技術(shù)會議和產(chǎn)品演示,討論電源管理、汽車、實時控制、視覺傳感和設(shè)計趨勢等內(nèi)容。欲了解更多信息,請訪問ti.com/techexchange。 

如需了解更多信息,敬請訪問TI.com/gan。

[1]  Energy Innovation,“數(shù)據(jù)中心實際使用了多少能源?”,2020年3月17日。

關(guān)于德州儀器(TI)

德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)是一家全球化的半導(dǎo)體公司,致力于設(shè)計、制造、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片,用于工業(yè)、汽車、個人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場。我們致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實用,創(chuàng)造一個更美好的世界。如今,每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)之上,使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速、更可靠、更實惠,從而實現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,這就是工程的進(jìn)步。這正是我們數(shù)十年來乃至現(xiàn)在一直在做的事。欲了解更多信息,請訪問公司網(wǎng)站http://www.ti.com.cn/。

商標(biāo)

C2000是德州儀器的商標(biāo)。所有其它商標(biāo)和注冊商標(biāo)均歸其各自所有者專屬。

消息來源:德州儀器
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