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韓國首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發(fā)力度，力爭在年內(nèi)完成開發(fā)工作。
SK啟方半導體持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導體的市場和潛力。為此，公司于2022年成立了一個專職團隊來推動GaN工藝的開發(fā)。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并計劃在今年年底完成開發(fā)工作。
由于650V GaN HEMT具有較高的功率效率，因此與硅基產(chǎn)品相比，可以降低散熱器的成本。也正因如此，與硅基產(chǎn)品相比，終端客戶系統(tǒng)的價格差異較小。該公司預(yù)計，硅基650V產(chǎn)品將為快速充電適配器、LED照明、數(shù)據(jù)中心和ESS以及太陽能微型逆變器等市場的無晶圓廠客戶帶來開發(fā)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的優(yōu)勢。除了爭取新客戶外，SK啟方半導體還計劃積極向對650V GaN HEMT技術(shù)感興趣的現(xiàn)有功率半導體工藝客戶推廣該技術(shù)。
GaN具有高速開關(guān)、低導通電阻等特性，與硅基半導體相比，具備低損耗、高效率和小型化的優(yōu)越特性，因此被稱為新一代功率半導體。據(jù)市場調(diào)研公司OMDIA預(yù)測，GaN功率半導體市場將以33%的復(fù)合年增長率增長，從2023年的5億美元增至2032年的64億美元，主要用于電源、混合動力、電動汽車以及太陽能逆變器。
SK啟方半導體表示，公司計劃以650V GaN HEMT為基礎(chǔ)，打造GaN產(chǎn)品組合，可為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓支持。
SK啟方半導體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："除了具有競爭力的高壓BCD外，我們還在為下一代功率半導體做準備。我們還將擴大功率半導體產(chǎn)品組合，未來除GaN以外，還將開發(fā)SiC（碳化硅），以確立我們作為專業(yè)功率半導體代工廠的地位。"
