SK啟方半導(dǎo)體推出第四代0.18微米BCD工藝

為提高移動和汽車功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案

韓國首爾2024年9月11日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導(dǎo)體為提高移動和汽車功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案。

SK啟方半導(dǎo)體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達(dá)40V的功率器件，並支持多種功率器件柵極輸入電壓，如3.3V、5V和18V，可應(yīng)用於多種場景，例如服務(wù)器和筆記本電腦PMIC、DDR5內(nèi)存PMIC、移動充電器、音頻放大器和汽車柵極驅(qū)動器等，以滿足客戶需求。此外還提供MTP（可多次編程）/OTP（一次性編程）存儲器、SRAM存儲器等選項(xiàng)，幫助客戶更好地進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

SK啟方半導(dǎo)體的第四代0.18微米BCD工藝符合汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100 Grade 1，確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，適用於汽車功率半導(dǎo)體，厚IMD（金屬間介質(zhì)）選項(xiàng)使得汽車產(chǎn)品設(shè)計(jì)能夠承受超過15,000V的電壓。

憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶的高度信任，該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設(shè)備的電池壽命、通過減少發(fā)熱實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能，並通過提高汽車用功率半導(dǎo)體的能源效率來改善整體性能。

SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：「我們很高興能夠?yàn)榭蛻籼峁┬阅芨玫娜碌谒拇?.18微米BCD工藝。SK啟方半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)在功率半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的競爭力，並與客戶緊密合作，將業(yè)務(wù)拓展到未來有望實(shí)現(xiàn)高速增長的各種應(yīng)用領(lǐng)域，例如AI服務(wù)器PMIC、DDR5 PMIC、汽車柵極驅(qū)動IC等。」

關(guān)於SK啟方半導(dǎo)體

SK啟方半導(dǎo)體總部位於韓國，致力於為半導(dǎo)體公司提供專業(yè)的模擬和混合信號代工服務(wù)，范圍涵蓋消費(fèi)、通信、計(jì)算，汽車和工業(yè)等各個(gè)行業(yè)。憑借廣泛的技術(shù)組合和工藝節(jié)點(diǎn)，SK啟方半導(dǎo)體具備足夠的靈活性和能力來滿足全球半導(dǎo)體公司不斷變化的需求。更多相關(guān)信息，請?jiān)L問https://www.skkeyfoundry.com。